文献
J-GLOBAL ID:200902113004415435
整理番号:00A0795842
GaAs(311)A上のGaP/InP短周期超格子に自己形成された多層量子ドットの光学的性質の改善
Improvement of Optical Properties of Multilayer Quantum Dots Self-Formed in GaP/InP Short-Period Superlattices on GaAs(311)A.
著者 (8件):
WATANABE D
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ASAHI H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NOH J-H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
FUDETA M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MORI J
(Kwansei-Gakuin Univ., Hyogo, JPN)
,
MATSUDA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ASAMI K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
GONDA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
39
号:
7B
ページ:
4601-4603
発行年:
2000年07月30日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)