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著者 (7件)：
資料名：
巻： 22 号： 1 ページ： 32-34 発行年： 2001年01月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902113409277650
整理番号：01A0247921
完全空乏化SOI MOSFETのしきい値電圧のSOI厚み敏感性に関するバックゲート効果
Back Gate Effects on Threshold Voltage Sensitivity to SOI Thickness in Fully-Depleted SOI MOSFETs.
NOGUCHI M
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
NUMATA T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
MITANI Y
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SHINO T
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN)
,
KAWANAKA S
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN)
,
OOWAKI Y
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN)
,
TORIUMI A
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 22 号： 1 ページ： 32-34 発行年： 2001年01月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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