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資料名：
巻： 46 号： 1 ページ： 237-244 発行年： 1999年01月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902113520617877
整理番号：99A0283768
負のキャパシタンス現象に関連したIGBTにおける発振効果
Oscillation Effects in IGBT’s Related to Negative Capacitance Phenomena.
OMURA I
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
FICHTNER W
(Swiss Federal Inst. Technol., Zuerich, CHE)
,
OHASHI H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 46 号： 1 ページ： 237-244 発行年： 1999年01月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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