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文献
J-GLOBAL ID:200902113705186872   整理番号:02A0882094

低雑音特性を示す融合InGaAs-Siアバランシェフォトダイオード

Fused InGaAs-Si Avalanche Photodiodes With Low-Noise Performances.
著者 (9件):
KANG Y
(Univ. California, CA, USA)
MAGES P
(Univ. California, CA, USA)
CLAWSON A R
(Univ. California, CA, USA)
YU P K L
(Univ. California, CA, USA)
BITTER M
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
PAN Z
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
PAUCHARD A
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
HUMMEL S
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
LO Y H
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)

資料名:
IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)

巻: 14  号: 11  ページ: 1593-1595  発行年: 2002年11月 
JST資料番号: T0721A  ISSN: 1041-1135  CODEN: IPTLEL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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