文献
J-GLOBAL ID:200902113705186872
整理番号:02A0882094
低雑音特性を示す融合InGaAs-Siアバランシェフォトダイオード
Fused InGaAs-Si Avalanche Photodiodes With Low-Noise Performances.
著者 (9件):
KANG Y
(Univ. California, CA, USA)
,
MAGES P
(Univ. California, CA, USA)
,
CLAWSON A R
(Univ. California, CA, USA)
,
YU P K L
(Univ. California, CA, USA)
,
BITTER M
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
,
PAN Z
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
,
PAUCHARD A
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
,
HUMMEL S
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
,
LO Y H
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
資料名:
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻:
14
号:
11
ページ:
1593-1595
発行年:
2002年11月
JST資料番号:
T0721A
ISSN:
1041-1135
CODEN:
IPTLEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)