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著者 (6件)：
資料名：
巻： 17 号： 7 ページ： 325-327 発行年： 1996年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902113705417467
整理番号：96A0672533
GaN/AlGaNドープチャネルヘテロ構造電界効果トランジスタのマイクロ波動作
Microwave Operation of GaN/AlGaN-Doped Channel Heterostructure Field Effect Transistors.
KHAN M A
(APA Inc., MN, USA)
,
CHEN Q
(APA Inc., MN, USA)
,
YANG J W
(APA Inc., MN, USA)
,
SHUR M S
(Univ. Virginia, VA, USA)
,
DERMOTT B T
(Rockwell Sci. Center, CA, USA)
,
HIGGINS J A
(Rockwell Sci. Center, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 17 号： 7 ページ： 325-327 発行年： 1996年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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