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資料名：
巻： 4 号： 1 ページ： 43-46 発行年： 1999年03月26日
JST資料番号： L3016A ISSN： 1342-3819 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902114195552700
整理番号：99A0425485
CoSi2>ゲートMOS電子トンネル放射陰極の作製と特性評価
Fabrication and Characteristics Evaluation of CoSi2-Gate MOS Electron Tunneling Emission Cathode.
ZHANG Y-Q
(Kyushu Univ.)
,
KENJO A
(Kyushu Univ.)
,
SADOH T
(Kyushu Univ.)
,
NAKASHIMA H
(Advanced Sci. and Technol. Center for Cooperative Res.)
,
TSURUSHIMA T
(Kyushu Univ.)
資料名：
九州大学大学院システム情報科学研究科報告
(Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University)
巻： 4 号： 1 ページ： 43-46 発行年： 1999年03月26日
JST資料番号： L3016A ISSN： 1342-3819 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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