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著者 (5件)：
資料名：
巻： 164 号： 1/4 ページ： 175-179 発行年： 1996年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902114392094080
整理番号：96A0708519
ガス原料分子ビームエピタクシーによって成長させたGaNAs中の極めて大きいN含有量(最高10%)
Extremely large N content (up to 10%) in GaNAs grown by gas-source molecular beam epitaxy.
KONDOW M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
UOMI K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KITATANI T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
WATAHIKI S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAZAWA Y
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 164 号： 1/4 ページ： 175-179 発行年： 1996年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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