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資料名：
巻： 75 号： 14 ページ： 2062-2063 発行年： 1999年10月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902114568855989
整理番号：99A0966207
トレンチからの横方向被覆成長によるGaN薄膜中の転位の減少
Dislocation reduction in GaN thin films via lateral overgrowth from trenches.
CHEN Y
(Hewlett-Packard Co., California)
,
SCHNEIDER R
(Hewlett-Packard Co., California)
,
WANG S Y
(Hewlett-Packard Co., California)
,
KERN R S
(Hewlett-Packard Co., California)
,
CHEN C H
(Hewlett-Packard Co., California)
,
KUO C P
(Hewlett-Packard Co., California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 14 ページ： 2062-2063 発行年： 1999年10月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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