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著者 (9件)：
資料名：
巻： 33 号： 9A ページ： 4807-4811 発行年： 1994年09月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902114700199840
整理番号：94A0869306
低温成長GaAsエピタキシャル膜の分光特性評価
Spectroscopic Characterization of Low-Temperature Grown GaAs Epitaxial Films.
TANI M
(Kansai Advanced Research Center, Hyogo)
,
SAKAI K
(Kansai Advanced Research Center, Hyogo)
,
ABE H
(Osaka Univ., Osaka)
,
NAKASHIMA S
(Osaka Univ., Osaka)
,
HARIMA H
(Osaka Univ., Osaka)
,
HANGYO M
(Osaka Univ., Osaka)
,
TOKUDA Y
(MITSUBISHI Electric Corp., Hyogo)
,
KANAMOTO K
(MITSUBISHI Electric Corp., Hyogo)
,
TSUKADA N
(MITSUBISHI Electric Corp., Hyogo)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 33 号： 9A ページ： 4807-4811 発行年： 1994年09月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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