文献
J-GLOBAL ID:200902114968725995
整理番号:01A0743392
極めて薄いSiO2膜における降伏前漏れ電流のキャリア分離測定
Carrier separation measurement of leakage current under prebreakdown in ultrathin SiO2 films.
著者 (5件):
UNO S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ISHIDA A
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
DEGUCHI K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KAMAKURA Y
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TANIGUCHI K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
89
号:
12
ページ:
8336-8338
発行年:
2001年06月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)