文献
J-GLOBAL ID:200902115121226476
整理番号:00A0912525
極薄SiO2マスクを利用したSi表面への高密度ナノエッチピットアレイの製作
High-Density Nanoetchpit-Array Fabrication on Si Surface Using Ultrathin SiO2 Mask.
著者 (6件):
KOH M
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
SAWARA S
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
GOTO T
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
ANDO Y
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
SHINADA T
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
OHDOMARI I
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
39
号:
9A
ページ:
5352-5355
発行年:
2000年09月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)