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著者 (9件)：
資料名：
巻： 39 号： 1 ページ： 126-136 発行年： 2000年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902115554473508
整理番号：00A0221959
CuInS2薄膜太陽電池の理論模型と素子性能
Theoretical Model and Device Performance of CulnS2 Thin Film Solar Cell.
ITO K
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
MATSUMOTO N
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
HORIUCHI T
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
ICHINO K
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
SHIMOYAMA H
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
OHASHI T
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
HASHIMOTO Y
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
BEIER J
(Hahn-Meitner Inst., Berlin, DEU)
,
LUX-STEINER M C
(Hahn-Meitner Inst., Berlin, DEU)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 1 ページ： 126-136 発行年： 2000年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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