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著者 (6件)：
資料名：
ページ： 177-180 発行年： 1999年
JST資料番号： K19990435 ISBN： 0-7803-5291-2 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902115924749338
整理番号：00A0019314
高ターンオフ電流能力及び2.5kVパワーパックIGBTの高短絡耐量の新しいIGBTチップ設計概念
A Novel IGBT Chip Design Concept of High Turn-off Current Capability and High Short Circuit Capability for 2.5kV Power Pack IGBT.
YOSHIKAWA K
(Fuji Electric Corporate Res. and Dev., Ltd., JPN)
,
KOGA T
(Fuji Electric Corporate Res. and Dev., Ltd., JPN)
,
FUJII T
(Fuji Electric Corporate Res. and Dev., Ltd., JPN)
,
KATOH T
(Fuji Electric Corporate Res. and Dev., Ltd., JPN)
,
TAKAHASHI Y
(Fuji Electric Co., Ltd., Matsumoto-city, JPN)
,
SEKI Y
(Fuji Electric Corporate Res. and Dev., Ltd., JPN)
資料名：
Proceedings. 11th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1999
(Proceedings. 11th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1999)
ページ： 177-180 発行年： 1999年
JST資料番号： K19990435 ISBN： 0-7803-5291-2 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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