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著者 (3件)：
資料名：
巻： 37 号： 4A ページ： 1817-1818 発行年： 1998年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902116235036770
整理番号：98A0604793
高温で使うための6H-SiCのAuゲート金属-半導体電界効果トランジスタの作製過程と特性
Fabrication Procedures and Characteristics of 6H-SiC Au-gate Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor for Use at High Temperatures.
TODA T
(SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
UEDA Y
(SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
IBARAKI A
(SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37 号： 4A ページ： 1817-1818 発行年： 1998年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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