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文献
J-GLOBAL ID:200902116638642450   整理番号:97A0086699

Czochralski成長後未処理のSi結晶中の“IR散乱欠陥”の透過型電子顕微鏡による観察

Transmission Electron Microscope Observation of “IR Scattering Defects” in As-Grown Czochralski Si Crystals.
著者 (4件):
KATO M
(Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Gunma, JPN)
YOSHIDA T
(Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Gunma, JPN)
IKEDA Y
(Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Gunma, JPN)
KITAGAWARA Y
(Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Gunma, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

巻: 35  号: 11  ページ: 5597-5601  発行年: 1996年11月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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