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資料名：
巻： 184 号： 1/4 ページ： 72-78 発行年： 2001年12月12日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902116995790270
整理番号：02A0124018
種々の間隙率の多孔質表面上へのSiCエピタキシャル層の成長
Growth of SiC epitaxial layers on porous surfaces of varying porosity.
SADDOW S E
(Univ. South Florida, FL, USA)
,
MYNBAEVA M
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
SMITH M C D
(Emerging Materials Res. Lab., MS, USA)
,
SMIRNOV A N
(Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
,
DIMITRIEV V
(TDI, Inc., MD, USA)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 184 号： 1/4 ページ： 72-78 発行年： 2001年12月12日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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