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文献
J-GLOBAL ID:200902117213594261   整理番号:95A0324155

高効率GaN基発光ダイオードにおける高転位密度

High dislocation densities in high efficiency GaN-based light-emitting diodes.
著者 (4件):
LESTER S D
(Hewlett Packard Lab., California)
PONCE F A
(Xerox Palo Alto Research Center, California)
CRAFORD M G
(Hewlett Packard Co., California)
STEIGERWALD D A
(Hewlett Packard Co., California)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 66  号: 10  ページ: 1249-1251  発行年: 1995年03月06日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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