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資料名：
巻： 79 号： 5 ページ： 605-607 発行年： 2001年07月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902117765925963
整理番号：01A0830263
Siに関する電子誘導表面応力緩和
Electron-stimulated surface stress relaxation of Si.
NARUSHIMA T
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
ITAKURA A N
(National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
KAWABE T
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
KITAJIMA M
(National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 5 ページ： 605-607 発行年： 2001年07月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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