文献
J-GLOBAL ID:200902118313713744
整理番号:97A0362799
酸化膜生成のために高純度オゾンジェットに曝露したSi(111)7×7の表面感受性第二高調波発生による分析
Analysis by Surface-sensitive Second Harmonic Generation of Si(111) 7×7 Exposed to High-purity Ozone Jet for Oxide Film Formation.
著者 (3件):
NAKAMURA K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
KUROKAWA A
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
ICHIMURA S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名:
Surface and Interface Analysis
(Surface and Interface Analysis)
巻:
25
号:
2
ページ:
88-93
発行年:
1997年02月
JST資料番号:
E0709A
ISSN:
0142-2421
CODEN:
SIANDQ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)