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著者 (5件)：
資料名：
巻： 20 号： 6 ページ： 2187-2191 発行年： 2002年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902118440740084
整理番号：03A0069733
高濃度りんドープシリコンの乾燥酸素中での初期酸化現象
Initial oxidation phenomena of heavily phosphorus-doped silicon in dry oxygen.
KAMIURA Y
(Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
,
HASEGAWA K
(Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
,
SANO Y
(Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
,
MIZOKAWA Y
(Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
,
KAWAMOTO K
(Denso Co., Ltd., Kariya, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 20 号： 6 ページ： 2187-2191 発行年： 2002年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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