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資料名：
巻： 77 号： 20 ページ： 3233-3235 発行年： 2000年11月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902118790287943
整理番号：01A0162843
織物状基板上の単一成長からの低転位GaN
Low-dislocation-density GaN from a single growth on a textured substrate.
ASHBY C I H
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
MITCHELL C C
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
HAN J
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
MISSERT N A
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
PROVENCIO P P
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
FOLLSTAEDT D M
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
PEAKE G M
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
GRIEGO L
(Sandia National Lab., New Mexico)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 20 ページ： 3233-3235 発行年： 2000年11月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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