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著者 (8件)：
資料名：
巻： 39 号： 10B ページ： L1054-L1056 発行年： 2000年10月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902118886740410
整理番号：01A0059384
分光偏光解析法によるSiC上の酸化物膜の特性評価
Characterization of Oxide Films on SiC by Spectroscopic Ellipsometry.
IIDA T
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
TOMIOKA Y
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
HIJIKATA Y
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
YAGUCHI H
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
YOSHIKAWA M
(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)
,
ISHIDA Y
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
YOSHIDA S
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 10B ページ： L1054-L1056 発行年： 2000年10月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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