文献
J-GLOBAL ID:200902118988283633
整理番号:96A0520886
自己形成InGaAs/GaAs量子ドット中の電気的キャリア注入による不連続な準位からの発光 フォノンボトルネックの影響
Emission from discrete levels in self-formed InGaAs/GaAs quantum dots by electric carrier injection: Influence of phonon bottleneck.
著者 (4件):
MUKAI K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
OHTSUKA N
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SHOJI H
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SUGAWARA M
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
68
号:
21
ページ:
3013-3015
発行年:
1996年05月20日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)