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文献
J-GLOBAL ID:200902118988283633   整理番号:96A0520886

自己形成InGaAs/GaAs量子ドット中の電気的キャリア注入による不連続な準位からの発光 フォノンボトルネックの影響

Emission from discrete levels in self-formed InGaAs/GaAs quantum dots by electric carrier injection: Influence of phonon bottleneck.
著者 (4件):
MUKAI K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
OHTSUKA N
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
SHOJI H
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
SUGAWARA M
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 68  号: 21  ページ: 3013-3015  発行年: 1996年05月20日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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