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文献
J-GLOBAL ID:200902119677794070   整理番号:93A0950201

低ドープn型シリコン中のマクロ孔生成の物理学

The Physics of Macropore Formation in Low Doped n-Type Silicon.
著者 (1件):
LEHMANN V
(Siemens AG, Muenchen, DEU)

資料名:
Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)

巻: 140  号: 10  ページ: 2836-2843  発行年: 1993年10月 
JST資料番号: C0285A  ISSN: 1945-7111  CODEN: JESOAN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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