文献
J-GLOBAL ID:200902120475151906
整理番号:97A0806618
SiC集積MOSFET
SiC Integrated MOSFETs.
著者 (3件):
ONDA S
(Denso Corp., Aichi, JPN)
,
KUMAR R
(Denso Corp., Aichi, JPN)
,
HARA K
(Denso Corp., Aichi, JPN)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻:
162
号:
1
ページ:
369-388
発行年:
1997年07月16日
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
0031-8965
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)