文献
J-GLOBAL ID:200902120641223201
整理番号:00A0185688
進歩したゲート誘電体材料用のハフニウム及びジルコニウムのけい酸塩
Hafnium and zirconium silicates for advanced gate dielectrics.
著者 (3件):
WILK G D
(Texas Instruments, Texas)
,
WALLACE R M
(Texas Instruments, Texas)
,
ANTHONY J M
(Texas Instruments, Texas)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
87
号:
1
ページ:
484-492
発行年:
2000年01月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)