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文献
J-GLOBAL ID:200902120758980747   整理番号:97A0624086

6H-SiCへのりんとほう素の注入

Phosphorus and boron implantation in 6H-SiC.
著者 (7件):
RAO M V
(George Mason Univ., Virginia)
GARDNER J A
(George Mason Univ., Virginia)
CHI P H
(National Inst. Standards and Technol., Maryland)
HOLLAND O W
(Oak Ridge National Lab., Tennessee)
KELNER G
(Naval Res. Lab., Washington, DC)
KRETCHMER J
(G.E. Corporate Res. and Dev., New York)
GHEZZO M
(G.E. Corporate Res. and Dev., New York)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 81  号: 10  ページ: 6635-6641  発行年: 1997年05月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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