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資料名：
巻： 88 号： 7 ページ： 4319-4324 発行年： 2000年10月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902121000775600
整理番号：01A0053579
陽極酸化薄膜多孔質シリコンダイオードからの高く安定した量子効率と低しきい値電圧を示すエレクトロルミネセンス
Electroluminescence with high and stable quantum efficiency and low threshold voltage from anodically oxidized thin porous silicon diode.
GELLOZ B
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
KOSHIDA N
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 88 号： 7 ページ： 4319-4324 発行年： 2000年10月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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