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著者 (9件)：
資料名：
巻： 273/274 ページ： 1034-1036 発行年： 1999年12月
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902121428981379
整理番号：00A0164509
AlGaAs/GaAs p-HEMTsの性能劣化についての誘起格子欠陥の影響
Impact of induced lattice defects on performance degradation of AlGaAs/GaAs p-HEMTs.
HAKATA T
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
OHYAMA H
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
KURODA S
(Fujitsu quantum device Ltd., Yamanashi, JPN)
,
SIMOEN E
(IMEC, Leuven, BEL)
,
NAKABAYASHI M
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
YONCOKA M
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
TAKAMI Y
(Rikkyo Univ., Kanagawa, JPN)
,
SUNAGA H
(Takasaki JAERI, Gunma, JPN)
,
MIYAHARA K
(Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)
資料名：
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻： 273/274 ページ： 1034-1036 発行年： 1999年12月
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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