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著者 (9件)：
資料名：
巻： 19 号： 6/7 ページ： 1457-1461 発行年： 1999年
JST資料番号： E0801B ISSN： 0955-2219 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902121586699508
整理番号：99A0653653
MOCVDによるBa0.7Sr0.3TiO3薄膜コンデンサにおける電荷損失へのアニール条件の影響
Effects of Annealing Conditions on Charge Loss Mechanisms in MOCVD Ba0.7Sr0.3TiO3 Thin Film Capacitors.
BANIECKI J D
(Columbia Univ., New York, USA)
,
LAIBOWITZ R B
(IBM Res. Div., NY, USA)
,
SHAW T M
(IBM Res. Div., NY, USA)
,
SAENGER K L
(IBM Res. Div., NY, USA)
,
DUNCOMBE P R
(IBM Res. Div., NY, USA)
,
CABRAL C
(IBM Microelectronics Div., NY, USA)
,
KOTECKI D E
(IBM Microelectronics Div., NY, USA)
,
SHEN H
(Siemens Microelectronics, NY, USA)
,
MA Q Y
(Columbia Univ., New York, USA)
資料名：
Journal of the European Ceramic Society
(Journal of the European Ceramic Society)
巻： 19 号： 6/7 ページ： 1457-1461 発行年： 1999年
JST資料番号： E0801B ISSN： 0955-2219 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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