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著者 (3件)：
資料名：
巻： 46 号： 5 ページ： 921-926 発行年： 1999年05月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902121596724497
整理番号：99A0467855
縮尺したp+ポリシリコンゲートp-MOSFETにおけるバイアス温度不安定性
Bias Temperature Instability in Scaled p+ Polysilicon Gate p-MOSFET’s.
YAMAMOTO T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
UWASAWA K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
MOGAMI T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 46 号： 5 ページ： 921-926 発行年： 1999年05月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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