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著者 (9件)：
資料名：
巻： 2002 ページ： 793-796 発行年： 2002年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902121597108943
整理番号：03A0088495
小エネルギプラズマ強化CVD蒸着のグレーデッドバッファ層を用いたヘテロエピタキシャルGe-on-Siによるギガヘルツ光検出器の製作とモデリング
Fabrication and Modeling of Gigahertz Photodetectors in Heteroepitaxial Ge-on-Si Using a Graded Buffer Layer Deposited by Low Energy Plasma Enhanced CVD.
JONES R E
(Motorola, TX, USA)
,
THOMAS S G
(Motorola, AZ, USA)
,
BHARATAN S
(Motorola, AZ, USA)
,
ROSENBLAD C
(Unaxis Balzers Ltd., LIE)
,
RAMM J
(Unaxis Balzers Ltd., LIE)
,
ISELLA G
(ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
,
VON KAENEL H
(ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
,
OH J
(Univ. Texas, TX, USA)
,
CAMPBELL J C
(Univ. Texas, TX, USA)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2002 ページ： 793-796 発行年： 2002年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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