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文献
J-GLOBAL ID:200902121912728629   整理番号:02A0372552

遠紫外分光偏光解析法による金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用の高K誘電体の誘電関数と光学バンドギャップ

Dielectric functions and optical bandgaps of high-K dielectrics for metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by far ultraviolet spectroscopic ellipsometry.
著者 (9件):
LIM S-G
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
JACKSON T N
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
HAENI J H
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
SCHLOM D G
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
BALBASHOV A M
(Moscow Power Engineering Inst., Moscow, RUS)
UECKER R
(Inst. Crystal Growth, Berlin, DEU)
REICHE P
(Inst. Crystal Growth, Berlin, DEU)
FREEOUF J L
(Oregon Graduate Inst. and Interface Studies Inc., Oregon)
LUCOVSKY G
(North Carolina State Univ., North Carolina)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 91  号:ページ: 4500-4505  発行年: 2002年04月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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