文献
J-GLOBAL ID:200902122198616249
整理番号:95A0282146
化学蒸着で成長させた高品質の4H-SiCエピタキシャル層
High quality 4H-SiC epitaxial layers grown by chemical vapor deposition.
著者 (7件):
KORDINA O
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HENRY A
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
BERGMAN J P
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
SON N T
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
CHEN W M
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HALLIN C
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
JANZEN E
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
66
号:
11
ページ:
1373-1375
発行年:
1995年03月13日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)