文献
J-GLOBAL ID:200902122351324511
整理番号:01A0486750
高濃度ほう素ドープシリコン結晶における熱誘起欠陥の挙動
Behavior of Thermally Induced Defects in Heavily Boron-Doped Silicon Crystals.
著者 (5件):
KIM J-M
(LG Siltron Inc., Kyung-Buk, KOR)
,
CHOI J-Y
(LG Siltron Inc., Kyung-Buk, KOR)
,
CHO H-J
(LG Siltron Inc., Kyung-Buk, KOR)
,
LEE H-W
(LG Siltron Inc., Kyung-Buk, KOR)
,
YOO H-D
(LG Siltron Inc., Kyung-Buk, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
40
号:
3A
ページ:
1370-1374
発行年:
2001年03月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)