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著者 (7件)：
資料名：
巻： 68 号： 16 ページ： 2300-2302 発行年： 1996年04月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902122367894644
整理番号：96A0408925
SrBi2Ta2O9薄膜の電気的特性と強誘電不揮発性メモリ応用のためのその温度依存性
Electrical properties of SrBi2Ta2O9 thin films and their temperature dependence for ferroelectric nonvolatile memory applications.
TAYLOR D J
(Materials Res. and Strategic Technol., Texas)
,
JONES R E
(Materials Res. and Strategic Technol., Texas)
,
ZURCHER P
(Materials Res. and Strategic Technol., Texas)
,
CHU P
(Materials Res. and Strategic Technol., Texas)
,
LII Y T
(Materials Res. and Strategic Technol., Texas)
,
JIANG B
(Materials Res. and Strategic Technol., Texas)
,
GILLESPIE S J
(Materials Res. and Strategic Technol., Texas)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 68 号： 16 ページ： 2300-2302 発行年： 1996年04月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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