文献
J-GLOBAL ID:200902122393316861
整理番号:01A0486678
化学溶液堆積によって作製したZnOの薄膜トランジスタ
Thin Film Transistor of ZnO Fabricated by Chemical Solution Deposition.
著者 (4件):
OHYA Y
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
,
NIWA T
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
,
BAN T
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
,
TAKAHASHI Y
(Gifu Univ., Gifu, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
40
号:
1
ページ:
297-298
発行年:
2001年01月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)