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資料名：
巻： 41 号： 5B ページ： L555-L558 発行年： 2002年05月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902122590111988
整理番号：02A0521696
鉛フラックスからのREMn2Si2(RE=Y,Tb,Dy,Ho)単結晶成長と磁気特性
REMn2Si2 (RE=Y, Tb, Dy, Ho) Single Crystals Grown from Lead Flux and Magnetic Properties.
OKADA S
(Kokushikan Univ., Tokyo, JPN)
,
KUDOU K
(Kanagawa Univ., Yokohama, JPN)
,
MORI T
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
,
IIZUMI K
(Tokyo Inst. Polytechnics, Atsugi, JPN)
,
SHISHIDO T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TANAKA T
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
,
NAKAJIMA K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ROGL P
(Univ. Wien, Wien, AUT)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41 号： 5B ページ： L555-L558 発行年： 2002年05月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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