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著者 (9件)：
資料名：
巻： 39 号： 7A ページ： L647-L650 発行年： 2000年07月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902123246819714
整理番号：00A0718597
低転位密度のGaN基板上に成長させた高出力で長寿命のInGaN多重量子井戸レーザダイオード
High-Power and Long-Lifetime InGaN Multi-Quantum-Well Laser Diodes Grown on Low-Dislocation-Density GaN Substrates.
NAGAHAMA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
IWASA N
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
SENOH M
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
MATSUSHITA T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
SUGIMOTO Y
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
KIYOKU H
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
KOZAKI T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
SANO M
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
MUKAI T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 7A ページ： L647-L650 発行年： 2000年07月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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