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著者 (9件)：
資料名：
巻： 30 号： 11 ページ： 1149-1156 発行年： 1995年11月
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902124534969778
整理番号：96A0171772
増大ステップパルスプログラミング方式の3.3V,32Mb NANDフラッシュメモリ
A 3.3 V 32 Mb NAND Flash Memory with Incremental Step Pulse Programming Scheme.
SUH K-D
(Sumsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
SUH B-H
(Sumsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
LIM Y-H
(Sumsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
KIM J-K
(Sumsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
CHOI Y-J
(Sumsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
KOH Y-N
(Sumsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
LEE S-S
(Sumsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
KWON S-C
(Sumsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
LIM H-K
(Sumsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
資料名：
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 30 号： 11 ページ： 1149-1156 発行年： 1995年11月
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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