文献
J-GLOBAL ID:200902124590880003
整理番号:95A0253696
高フルエンスでの半絶縁性GaドープCdTe内のピコ秒直交偏光ビーム結合
Picosecond cross-polarization beam coupling in semi-insulating Ga-doped CdTe at high fluences.
著者 (2件):
TOMITA Y
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
ENAMI E
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
66
号:
8
ページ:
914-916
発行年:
1995年02月20日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)