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文献
J-GLOBAL ID:200902125189277155   整理番号:03A0083995

プラズマ支援分子ビームエピタクシーにおけるGaN膜の質に成長中断中のSi照射が及ぼす影響

Roles of Si Irradiation during the Growth Interruption on GaN Film Qualities in Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy.
著者 (5件):
SHEN X-Q
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
CHO H-K
(Dong-A Univ., Busan, KOR)
IDE T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
SHIMIZU M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
OKUMURA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

巻: 41  号: 12B  ページ: L1428-L1430  発行年: 2002年12月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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