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著者 (3件)：
資料名：
巻： 49 号： 6 ページ： 1042-1048 発行年： 2002年06月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902125281735232
整理番号：02A0570411
極薄SOI膜MOSFETの反転層移動度に対する埋め込み酸化層界面の影響
Influences of Buried-Oxide Interface on Inversion-Layer Mobility in Ultra-Thin SOI MOSFETs.
KOGA J
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TAKAGI S
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TORIUMI A
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 49 号： 6 ページ： 1042-1048 発行年： 2002年06月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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