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資料名：
巻： 97 号： 220(CPM97 52-60) ページ： 13-18 発行年： 1997年08月04日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：200902125557351956
整理番号：97A0852692
高純度オゾンによるシリコン酸化膜の作製と評価
Fabrication of silicon dioxide thin film with high purity ozone and its characterization by XPS and SHG.
一村信吾
(電総研)
,
中村健
(電総研)
,
黒河明
(電総研)
,
野中秀彦
(電総研)
,
村上寛
(電総研)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 97 号： 220(CPM97 52-60) ページ： 13-18 発行年： 1997年08月04日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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