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著者 (6件)：
資料名：
巻： 23 号： 10 ページ： 630-632 発行年： 2002年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902125729306044
整理番号：02A0862783
SOIウエハ検査のための付加ゲートを用いた新規な走査電荷ポンピング法の予備検討
Preliminary Study of a Novel Scanning Charge-Pumping Method Using Extra Gates for SOI Wafer Inspection.
YOSHIDA H
(Himeji Inst. Technol., Himeji, JPN)
,
TAKAMI T
(Himeji Inst. Technol., Himeji, JPN)
,
UCHIHASHI T
(Himeji Inst. Technol., Himeji, JPN)
,
KISHINO S
(Himeji Inst. Technol., Himeji, JPN)
,
NARUOKA H
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
MASHIKO Y
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 23 号： 10 ページ： 630-632 発行年： 2002年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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