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資料名：
巻： 66 号： 24 ページ： 3328-3330 発行年： 1995年06月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902125875049738
整理番号：95A0627448
BCl3プラズマ中でのマグネトロン反応性イオンエッチングによるGaNの高エッチ速度
High etch rates of GaN with magnetron reactive ion etching in BCl3 plasmas.
MCLANE G F
(U.S. Army Res. Lab., New Jersey)
,
CASAS L
(U.S. Army Res. Lab., New Jersey)
,
PEARTON S J
(Univ. Florida, Florida)
,
ABERNATHY C R
(Univ. Florida, Florida)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 66 号： 24 ページ： 3328-3330 発行年： 1995年06月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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