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著者 (6件)：
資料名：
巻： 35th ページ： 282-286 発行年： 1997年
JST資料番号： A0631A ISSN： 1541-7026 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902126062114814
整理番号：97A0542854
NBTI-最新CMOS技術のPMOSFETにおけるチャネルホットキャリア効果
NBTI-channel hot carrier effects in pMOSFETs in advanced CMOS technologies.
LA ROSA G
(IBM Semiconductor Res. & Dev. Center, NY)
,
GUARIN F
(IBM Semiconductor Res. & Dev. Center, NY)
,
RAUCH S
(IBM Semiconductor Res. & Dev. Center, NY)
,
ACOVIC A
(IBM Semiconductor Res. & Dev. Center, NY)
,
LUKAITIS J
(IBM Semiconductor Res. & Dev. Center, NY)
,
CRABBE E
(IBM Semiconductor Res. & Dev. Center, NY)
資料名：
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 35th ページ： 282-286 発行年： 1997年
JST資料番号： A0631A ISSN： 1541-7026 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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