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著者 (6件)：
資料名：
巻： 83 号： 1 ページ： 592-599 発行年： 1998年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902126143796928
整理番号：98A0189231
分子ビームエピタクシーにより成長させた傾斜組成InxGa1-xAs/GaAsの1.3μm波長発光ダイオード構造
Graded InxGa1-xAs/GaAs 1.3μm wavelength light emitting diode structures grown with molecular beam epitaxy.
BULSARA M T
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
YANG V
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
THILDERKVIST A
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
FITZGERALD E A
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
HAUESLER K
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforsch., Stuttgart, DEU)
,
EBERL K
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforsch., Stuttgart, DEU)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 83 号： 1 ページ： 592-599 発行年： 1998年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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