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資料名：
巻： 36 号： 11B ページ： L1531-L1533 発行年： 1997年11月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902126862705314
整理番号：98A0037141
低誘電率層間絶縁体用のふっ化非晶質炭素薄膜のふっ素濃度の制御
Controlling Fluorine Concentration of Fluorinated Amorphous Carbon Thin Films for Low Dielectric Constant Interlayer Dielectrics.
ENDO K
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
TATSUMI T
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36 号： 11B ページ： L1531-L1533 発行年： 1997年11月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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