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著者 (2件)：
資料名：
巻： 72 号： 4 ページ： 415-417 発行年： 1998年01月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902126932743286
整理番号：98A0240619
シリコン上の紫外線と紫色のGaN発光ダイオード
Ultraviolet and violet GaN light emitting diodes on silicon.
GUHA S
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
BOJARCZUK N A
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 72 号： 4 ページ： 415-417 発行年： 1998年01月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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